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              MOSFET用驅動電源R3系列

              簡要描述:MOSFET用驅動電源R3系列R3系列驅動電源產品基于自主IC設計平臺,隔離電壓高達5000VAC,遠優于市場上常規產品(3750VAC),且滿足加強絕緣設計要求,整體可靠性得到極大提升。

              • 產品型號:QA053-1509R3
              • 廠商性質:生產廠家
              • 更新時間:2022-05-30
              • 訪  問  量:71

              詳細介紹

              類型AC/DC電源輸入電壓5V
              輸出功率82W調制方式脈沖寬度調制(PWM)式
              輸出電壓-8.7~15V

              MOSFET用驅動電源R3系列產品介紹

                      隨著新能源汽車和光伏行業不斷發展,半導體器件的應用不斷擴寬,IGBT/SiC MOSFET作為充電樁設備、光伏SVG系統中的關鍵半導體器件組成部分,市場對其應用條件和性能提出了更高的要求,隨之也帶來了對驅動方案的高要求。

                      金升陽基于自主電路平臺、IC平臺、工藝平臺,升級開發IGBT/SiC MOSFET用第三代驅動電源QA-R3/QA_C-R3系列產品。同時為滿足更加嚴苛的應用需求,打造了全新的爬電距離滿足1700V系統電源應用的驅動電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產品,以期為客戶提供更優質的電源解決方案。

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               MOSFET用驅動電源R3系列產品優勢

              1、5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

              R3系列驅動電源產品基于自主IC設計平臺,隔離電壓高達5000VAC,遠優于市場上常規產品(3750VAC),且滿足加強絕緣設計要求,整體可靠性得到極大提升。

              2、滿足1700VDC長期絕緣要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)

              作為現階段主流的半導體器件,市面上IGBT/SiC MOSFET多為中低壓應用,應用電壓為650V/900V/1200V/1700V;R3系列驅動電源基于IEC-61800-5-1標準要求,實現長期絕緣電壓(持續放電)滿足1700V,應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件;其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是滿足了爬電距離>14.14mm。

              3、多項性能指標提升

                      R3系列驅動電源相較于R1系列產品,整體性能也進行了優化提升

                      <1>效率提升:80%→87%

                      <2>紋波下降:75mVpp→50mVpp

                      <3>強帶載能力:220uF→2200uF

                      <4>靜電性能提升:±6kV→±8kV 

                      <5>隔離電容降低:6.6pF→3.5pF

               產品應用

              作為IGBT/SiC MOSFET用驅動電源,在產品應用上與IGBT/SiC MOSFET應用重合,可用于光伏逆變器、電機驅動、充電樁等多種場合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅動;已光伏SVG系統為例,可配合驅動芯片來共同驅動后端的IGBT期間,實現系統的有效運行。

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              產品特點

              ● 隔離電壓5000VAC(滿足加強絕緣)

              ● 長期絕緣:1700VDC

              ● 效率高達87%

              ● 超小型SIP封裝

              ● 最大容性負載2200uF

              ● 超小隔離電容3.5pF(typ.)

              ● 工作溫度范圍:-40℃ to +105℃




              產品咨詢

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